（台灣英文新聞／葉湘宜 綜合報導）一名三星電子前高層涉嫌盜取三星電子半導體核心技術，計畫在中國打造複製版半導體工廠，被南韓檢方拘留起訴。
綜合韓聯社及韓國經濟報導，這名高層A某曾於三星電子任職18年、SK海力士任職10年，分別做到了常務以及副社長職位，為半導體領域專家之一。
A某涉嫌在2015年於成都收約4600億韓元（約110億台幣）資金，成立一間中國企業公司，之後與某「台灣電子廠」簽訂約8兆韓元（約1916億台幣）投資合約，並在新加坡設立了另一間半導體企業公司，另外還以高薪挖角了200多名三星電子及SK海力士出身的半導體人才。
A某在2018年8月到2019年為止，涉嫌非法盜取以及不正當使用三星電子的半導體工廠基本工程數據（BED, Basic Engineering Data）、工程配置圖以及設計圖等商業機密，這些技術是製造30奈米以下等級、DRAM與NAND快閃記憶體的半導體工程技術，相當於國家核心技術。南韓檢方認為，這些資料最少價值3000億韓元（約72億台幣），最高可達數兆韓元。
根據調查，A某原計畫在距離中國西安的三星電子半導體工廠1.5公里外的地方，建設另一間三星電子複製版的半導體工廠，所幸台灣電子廠的8兆韓元（約1916億台幣）投資計畫未成功，讓工廠的建造計畫失敗，但A某仍利用在成都收到的4千600億韓元（約110億台幣）完成了研發大樓，生產了以三星電子半導體技術製作的樣品。
南韓檢方表示，此案並非單純的半導體技術外洩，而是企圖複製並建造整個半導體工廠，在半導體生產日趨激烈的競爭下，這是動搖整個國內半導體產業基礎的重大犯罪。
水原地方檢察廳今（12）日表示，日前已以「違反產業技術保護法」以及「違反不正當競爭防止法」拘留起訴Ａ某，而涉嫌參與此次案件的６名職員則以不拘留起訴。
